BSH205G2AR
Produktcode: 205560
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSH205G2AR | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 20700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH205G2AR | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 20349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH205G2AR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH205G2AR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH205G2AR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1450+ | 0.12 EUR |
| 9000+ | 0.098 EUR |
| BSH205G2AR |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1197+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 9000+ | 0.087 EUR |
| BSH205G2AR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 354+ | 0.7 EUR |
| 530+ | 0.44 EUR |
| 1011+ | 0.21 EUR |
| 1220+ | 0.18 EUR |
| 1539+ | 0.14 EUR |
| BSH205G2AR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 354+ | 0.7 EUR |
| 530+ | 0.44 EUR |
| 1011+ | 0.21 EUR |
| 1220+ | 0.18 EUR |
| 1539+ | 0.14 EUR |
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| 100 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100R-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 35904
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung: 4790 St.
- 4790 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.07 EUR |
| 100+ | 0.058 EUR |
| 1000+ | 0.046 EUR |
| 220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano) Produktcode: 32376
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 220 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 220 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
erwartet: 8000 St.
- 8000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 71 St.
- 71 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.051 EUR |
| 1000+ | 0.039 EUR |
| CP2102-GMR Produktcode: 22679
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: SiLabs
IC > IC Interface
Gehäuse: QFN-28
Eigenschaften: USB-UART-Bridge
Versorgungsspannung: 3,6 V
Temperaturbereich: -55…125°C
Montageart: SMD
Schnittstelle: UART
IC > IC Interface
Gehäuse: QFN-28
Eigenschaften: USB-UART-Bridge
Versorgungsspannung: 3,6 V
Temperaturbereich: -55…125°C
Montageart: SMD
Schnittstelle: UART
auf Bestellung: 117 St.
- 117 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.13 EUR |
| 10+ | 4.74 EUR |
| 1.5KE10CA Produktcode: 21191
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 10 V
Diodenbauart: Bidirektional
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 10 V
Diodenbauart: Bidirektional
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand SMD) Produktcode: 11319
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3,3 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3,3 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 5000 St.
- 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 34160 St.
- 34160 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.005 EUR |






