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BSH205G2AR

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Produktcode: 205560
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH205G2AR BSH205G2AR NEXPERIA BSH205G2A.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.7 EUR
530+0.44 EUR
1011+0.21 EUR
1220+0.18 EUR
1539+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
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BSH205G2AR BSH205G2AR NEXPERIA BSH205G2A.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
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Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.7 EUR
530+0.44 EUR
1011+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 354 Stücke
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BSH205G2AR BSH205G2AR Nexperia USA Inc. BSH205G2A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
63+0.33 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSH205G2AR BSH205G2AR Nexperia BSH205G2A.pdf MOSFETs BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 48108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.7 EUR
100+0.44 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSH205G2AR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
354+0.7 EUR
530+0.44 EUR
1011+0.21 EUR
1220+0.18 EUR
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BSH205G2AR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
354+0.7 EUR
530+0.44 EUR
1011+0.21 EUR
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BSH205G2AR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
63+0.33 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSH205G2AR
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 48108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.44 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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100 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 35904
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100 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet
auf Bestellung: 2270 St.
  • 2270 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.07 EUR
100+0.058 EUR
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano)
Produktcode: 32376
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220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 220 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
erwartet: 8000 St.
  • 8000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CP2102-GMR
Produktcode: 22679
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CP2102-9.pdf
CP2102-GMR
Hersteller: SiLabs
IC > IC Interface
Gehäuse: QFN-28
Eigenschaften: USB-UART-Bridge
Versorgungsspannung: 3,6 V
Temperaturbereich: -55…125°C
Montageart: SMD
Schnittstelle: UART
auf Bestellung: 106 St.
  • 106 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.13 EUR
10+4.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE10CA
Produktcode: 21191
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE10CA
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 10 V
Diodenbauart: Bidirektional
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand SMD)
Produktcode: 11319
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3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3,3 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 5000 St.
  • 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 34060 St.
  • 34060 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH