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BSH205G2AR

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Produktcode: 205560
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia BSH205G2A.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : NEXPERIA BSH205G2A.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : NEXPERIA BSH205G2A.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH205G2A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH205G2A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: Hitano
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Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 6150 St.:
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100+0.02 EUR
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220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano)
Produktcode: 32376
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220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 8000 St.:
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CP2102-GMR
Produktcode: 22679
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CP2102-9.pdf
CP2102-GMR
Hersteller: SiLabs
IC > IC Interface
Gehäuse: QFN-28
Eigenschaften: USB-TO-UART BRIDGE
Strom: 3,6V
Temperaturbereich: -55…125°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
auf Bestellung 131 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE10CA
Produktcode: 21191
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE10CA
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 10
n: Двоспрямований
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11319
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3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3,3 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 39260 St.
5000 St. - stock Köln
34260 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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