BSH205G2AR Nexperia
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Technische Details BSH205G2AR Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSH205G2AR nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BSH205G2AR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
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BSH205G2AR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSH205G2AR | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A |
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BSH205G2AR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 14269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSH205G2AR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSH205G2AR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH205G2AR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH205G2AR Produktcode: 205560
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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BSH205G2AR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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