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BSH205G2R

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : NEXPERIA PHGL-S-A0000772667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.17 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSH205G2R Hersteller : NEXPERIA PHGL-S-A0000772667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH205G2R - MOSFET, P-KANAL, -20V, -2A, TO236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSH205G2R BSH205G2R Hersteller : Nexperia BSH205G2.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A
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Sicherung 5x20mm 0,1A 250V (50F-0100H)
Produktcode: 27133
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Sicherung 5x20mm 0,1A 250V (50F-0100H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 0,1A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 0,1A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
auf Bestellung 8979 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.05 EUR
10+0.035 EUR
100+0.025 EUR
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CD4093BM
Produktcode: 25654
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd4093b
CD4093BM
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Quad 2In Schmit Trgr
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 3...15V
T°C: -55…+125°C
verfügbar: 544 St.
50 St. - stock Köln
494 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.12 EUR
100+0.099 EUR
1000+0.089 EUR
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CP2102-GMR
Produktcode: 22679
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CP2102-9.pdf
CP2102-GMR
Hersteller: SiLabs
IC > IC Interface
Gehäuse: QFN-28
Eigenschaften: USB-TO-UART BRIDGE
Strom: 3,6V
Temperaturbereich: -55…125°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
auf Bestellung 126 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 St.:
Anzahl Preis
1+2.08 EUR
10+1.96 EUR
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1.5KE10CA
Produktcode: 21191
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE10CA
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 10
n: Двоспрямований
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3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11319
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3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3,3 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 39260 St.
5000 St. - stock Köln
34260 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH