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BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
136+0.53 EUR
152+0.47 EUR
224+0.32 EUR
237+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.97 EUR
30+0.60 EUR
100+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en-1226247.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 18378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.98 EUR
10+0.85 EUR
100+0.63 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9180 Stücke:
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
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