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BSL308PEH6327XTSA1

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+0.48 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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351+0.5 EUR
500+0.48 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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389+0.42 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en-1226247.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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3+1.17 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
247+0.94 EUR
335+0.64 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9180 Stücke:
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164+1.52 EUR
247+0.94 EUR
335+0.64 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.24 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308PEH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.33 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
419+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5945 Stücke:
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BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
389+0.45 EUR
444+0.39 EUR
447+0.38 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
351+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
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335+0.52 EUR
388+0.43 EUR
389+0.42 EUR
444+0.35 EUR
447+0.33 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en-1226247.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 18378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.17 EUR
10+1.01 EUR
100+0.75 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
247+0.94 EUR
335+0.64 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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164+1.52 EUR
247+0.94 EUR
335+0.64 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
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