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BSL308PEH6327XTSA1

Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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3000+0.38 EUR
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auf Bestellung 69000 Stücke:
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3000+0.38 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.49 EUR
9000+0.43 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.18 EUR
118+0.73 EUR
184+0.46 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10163 Stücke:
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116+1.49 EUR
166+1.02 EUR
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500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
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6000+0.31 EUR
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auf Bestellung 10163 Stücke:
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 5490 Stücke:
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100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
175+1.33 EUR
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500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4904 Stücke:
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109+2.3 EUR
175+1.33 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
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BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.49 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+1.18 EUR
118+0.73 EUR
184+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.49 EUR
166+1.02 EUR
241+0.69 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.49 EUR
166+1 EUR
241+0.67 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+0.87 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSL308PEH6327XTSA1 INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.3 EUR
175+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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