BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 780W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 780W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BSM120D12P2C005 nach Preis ab 757.07 EUR bis 816.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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BSM120D12P2C005 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSM120D12P2C005 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
MOSFET Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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