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BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 300A 1250W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Part Status: Obsolete
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
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Technische Details BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 300A 1250W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Power - Max: 1250 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Part Status: Obsolete, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote BSM150GB170DLCE3256HDLA1 nach Preis ab 259.02 EUR bis 259.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSM150GB170DLCE3256HDLA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM150GB170DLCE3256HDLA1 - BSM150GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
tariffCode: 85412900
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
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BSM150GB170DLCE3256HDLA1
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM150GB170DLCE3256HDLA1 - BSM150GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
tariffCode: 85412900
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productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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