Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > BSM180C12P2E202
BSM180C12P2E202

BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSM180C12P2E202&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1047.89 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.

Weitere Produktangebote BSM180C12P2E202 nach Preis ab 1642.32 EUR bis 1700.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BSM180C12P2E202 BSM180C12P2E202 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSM180C12P2E202&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1700.89 EUR
4+ 1642.32 EUR
BSM180C12P2E202 BSM180C12P2E202 Hersteller : ROHM bsm180c12p2e202.pdf Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)