
BSM180D12P2E002 ROHM Semiconductor
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Technische Details BSM180D12P2E002 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM180D12P2E002 nach Preis ab 1241.03 EUR bis 1241.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSM180D12P2E002 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1360W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
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BSM180D12P2E002 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 204A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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