BSM180D12P2E002 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Technische Details BSM180D12P2E002 ROHM
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM180D12P2E002 nach Preis ab 1399.86 EUR bis 1476.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BSM180D12P2E002 | ROHM Semiconductor | MOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSM180D12P2E002 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO Power - Max: 1360W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSM180D12P2E002 |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
MOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1399.86 EUR |
| BSM180D12P2E002 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Power - Max: 1360W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Power - Max: 1360W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1476.83 EUR |