BSM200GB60DLC
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Technische Details BSM200GB60DLC
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Collector current: 200A, Case: AG-34MM-1, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 730W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BSM200GB60DLC
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W |
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