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BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor


bsm250d17p2e004-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
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Technische Details BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.

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BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM250D17P2E004&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1800W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
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BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Hersteller : ROHM Semiconductor bsm250d17p2e004_e-1872083.pdf Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
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BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Hersteller : Rohm Semiconductor bsm250d17p2e004-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
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BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Hersteller : ROHM bsm250d17p2e004-e.pdf Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
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