Technische Details BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.26kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM300D12P3E005 nach Preis ab 2226.42 EUR bis 2226.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSM300D12P3E005 | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEPart Status: Active Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Power - Max: 1260W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSM300D12P3E005 | ROHM |
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.26kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSM300D12P3E005 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1260W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1260W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 2226.42 EUR |
| BSM300D12P3E005 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)