BSM300D12P4G101 ROHM
Hersteller: ROHMDescription: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 291A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
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Technische Details BSM300D12P4G101 ROHM
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 291A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSM300D12P4G101 nach Preis ab 1543.94 EUR bis 1547.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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| BSM300D12P4G101 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules BSM300D12P4G101 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET |
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