BSM300D12P4G101 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
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Technische Details BSM300D12P4G101 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 291A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote BSM300D12P4G101 nach Preis ab 1169.38 EUR bis 1178.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BSM300D12P4G101 | ROHM |
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 291A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 925W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSM300D12P4G101 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Power - Max: 925W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSM300D12P4G101 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 291A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1169.38 EUR |
| BSM300D12P4G101 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 925W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 925W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1178.96 EUR |