BSM300D12P4G101 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFET Modules BSM300D12P4G101 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET
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Technische Details BSM300D12P4G101 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 291A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSM300D12P4G101 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 291A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 925W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: To Be Advised |
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BSM300D12P4G101 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 925W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA Supplier Device Package: Module |
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