BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1592.1 EUR |
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Technische Details BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSM400C12P3G202 nach Preis ab 2306.07 EUR bis 2306.1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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BSM400C12P3G202 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSM400C12P3G202 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 1.57kW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |