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BSM400C12P3G202

BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSM400C12P3G202&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
Power Dissipation (Max): 1570W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Technische Details BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSM400C12P3G202 nach Preis ab 1440.35 EUR bis 1706.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSM400C12P3G202 BSM400C12P3G202 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSM400C12P3G202&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
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BSM400C12P3G202 BSM400C12P3G202 ROHM bsm400c12p3g202-e.pdf Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
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BSM400C12P3G202 datasheet?p=BSM400C12P3G202&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM400C12P3G202
Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
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BSM400C12P3G202 bsm400c12p3g202-e.pdf
BSM400C12P3G202
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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