BSM400C12P3G202 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Technische Details BSM400C12P3G202 ROHM
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM400C12P3G202 nach Preis ab 1714.02 EUR bis 2029.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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BSM400C12P3G202 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -4V Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA Power Dissipation (Max): 1570W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSM400C12P3G202 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
Power Dissipation (Max): 1570W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
Power Dissipation (Max): 1570W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2022.64 EUR |
| BSM400C12P3G202 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2029.75 EUR |
| 12+ | 1714.02 EUR |