BSM400D12P3G002 ROHM Semiconductor
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Technische Details BSM400D12P3G002 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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BSM400D12P3G002 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: SIC 2N-CH 1200V 400A MODULEPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1570W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 109.2mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
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BSM400D12P3G002 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.57kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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