Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > BSM400D12P3G002
BSM400D12P3G002

BSM400D12P3G002 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSM400D12P3G002&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1570W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 109.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2166.31 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSM400D12P3G002 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote BSM400D12P3G002

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BSM400D12P3G002 BSM400D12P3G002 Hersteller : ROHM bsm400d12p3g002-e.pdf Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSM400D12P3G002 BSM400D12P3G002 Hersteller : ROHM Semiconductor bsm400d12p3g002_e-1829862.pdf Discrete Semiconductor Modules 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
Produkt ist nicht verfügbar