BSM450D12P4G102 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules BSM450D12P4G102 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET
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Technische Details BSM450D12P4G102 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM450D12P4G102 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 447 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 447A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.45kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: To Be Advised.
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BSM450D12P4G102 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BSM450D12P4G102 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 447 A, 1.2 kV, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.45kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: To Be Advised |
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