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BSM450D12P4G102

BSM450D12P4G102 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules BSM450D12P4G102 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET
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Technische Details BSM450D12P4G102 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - BSM450D12P4G102 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 447 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 447A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.45kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: To Be Advised.

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BSM450D12P4G102 BSM450D12P4G102 Hersteller : ROHM bsm450d12p4g102-e.pdf Description: ROHM - BSM450D12P4G102 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 447 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: To Be Advised
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