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BSM50GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 115A 460W 7-Pin
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Technische Details BSM50GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 115A 460W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 460 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.

Weitere Produktangebote BSM50GB120DLCHOSA1 nach Preis ab 130.03 EUR bis 166.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BSM50GB120DLCHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS08870-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GB120DLCHOSA1 - BSM50GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GB120DLCHOSA1 - BSM50GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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