BSM600C12P3G201 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 2.46kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
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Technische Details BSM600C12P3G201 ROHM
Description: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 2.46kW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Weitere Produktangebote BSM600C12P3G201
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSM600C12P3G201 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -4V Part Status: Active Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA Power Dissipation (Max): 2460W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSM600C12P3G201 | ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSM600C12P3G201 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA
Power Dissipation (Max): 2460W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Description: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA
Power Dissipation (Max): 2460W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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| BSM600C12P3G201 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen
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