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BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor

datasheet?p=BSM600C12P3G201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
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Technische Details BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.46kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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BSM600C12P3G201 BSM600C12P3G201 Hersteller : ROHM bsm600c12p3g201-e.pdf Description: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.46kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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BSM600C12P3G201 BSM600C12P3G201 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM600C12P3G201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 10 V
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