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Technische Details BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 170A 690W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 690 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM75GB120DLCHOSA1 nach Preis ab 131.44 EUR bis 193.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM75GB120DLCHOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH |
auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSM75GB120DLCHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSM75GB120DLCHOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB120DLCHOSA1 - BSM75GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSM75GB120DLCHOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 164.01 EUR |
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| 1000+ | 131.44 EUR |
| BSM75GB120DLCHOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH
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|---|---|
| 25+ | 164.01 EUR |
| 100+ | 153.57 EUR |
| BSM75GB120DLCHOSA1 |
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4119 Stücke:
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| 4+ | 193.3 EUR |