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BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies


75gb170dn2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625W 7-Pin Tray
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Technische Details BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSM75GB170DN2HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
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BSM75GB170DN2HOSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB170DN2HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 75gb170dn2.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625000mW Tray
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BSM75GB170DN2HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
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