BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 177.64 EUR |
| 25+ | 167.88 EUR |
| 100+ | 155.06 EUR |
| 500+ | 142.75 EUR |
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Technische Details BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM75GB170DN2HOSA1 nach Preis ab 173.31 EUR bis 173.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| BSM75GB170DN2HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MODPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
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| BSM75GB170DN2HOSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSM75GB170DN2HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625000mW Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSM75GB170DN2HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
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