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BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia

4381473914896773bsn20bk.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSN20BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F2F4730920747&compId=BSN20BK.pdf?ci_sign=2340b86543c8c0731c8ab14d7d1ef4d079bcab88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
321+0.22 EUR
371+0.19 EUR
543+0.13 EUR
643+0.11 EUR
1129+0.063 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F2F4730920747&compId=BSN20BK.pdf?ci_sign=2340b86543c8c0731c8ab14d7d1ef4d079bcab88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.49nC
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1194+0.06 EUR
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
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48+0.37 EUR
76+0.23 EUR
122+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
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Anzahl Preis
8+0.38 EUR
13+0.23 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : NEXPERIA BSN20BK.pdf Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : NEXPERIA BSN20BK.pdf Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : NEXPERIA 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
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BSN20BKR BSN20BKR Hersteller : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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