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BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSN20BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 78000 Stücke:
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BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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BSN20BKR BSN20BKR Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
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8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.071 EUR
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BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 48860 Stücke:
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152+1.65 EUR
321+0.73 EUR
396+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.32 EUR
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BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 48860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
321+0.73 EUR
396+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 63000 Stücke:
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10000+0.058 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 213800 Stücke:
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10000+0.058 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3209 Stücke:
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BSN20BKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2727 Stücke:
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MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
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500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.071 EUR
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BSN20BKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 48860 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
152+1.65 EUR
321+0.73 EUR
396+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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BSN20BKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 48860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.65 EUR
321+0.73 EUR
396+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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