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Technische Details BSN20BKR Nexperia
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSN20BKR nach Preis ab 0.036 EUR bis 0.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSN20BKR | Hersteller : Nexperia |
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BSN20BKR | Hersteller : Nexperia |
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BSN20BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 402mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 402mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 15840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : NEXPERIA |
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auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSN20BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
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BSN20BKR | Hersteller : Nexperia |
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