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BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.082 EUR
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Technische Details BSN20BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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4725+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 972 Stücke:
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400+0.44 EUR
659+0.26 EUR
852+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs BSN20BK/SOT23/TO-236AB
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15+0.21 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
auf Bestellung 37645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
98+0.21 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 42205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
410+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1076+0.2 EUR
1478+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 42205 Stücke:
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410+0.61 EUR
944+0.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA BSN20BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.058 EUR
24000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4725+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+0.44 EUR
659+0.26 EUR
852+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSN20BKR
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSN20BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.49 EUR
15+0.21 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSN20BKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
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42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
98+0.21 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSN20BKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 42205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
410+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1076+0.2 EUR
1478+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSN20BKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 42205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
410+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1076+0.2 EUR
1478+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSN20BKR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH