BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.17 EUR |
| 5000+ | 1.11 EUR |
| 12500+ | 1.07 EUR |
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Technische Details BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3300 µohm, P-DSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.56W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: P-DSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Weitere Produktangebote BSO033N03MSGXUMA1 nach Preis ab 0.96 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V |
auf Bestellung 24288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3300 µohm, P-DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.56W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: P-DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSO033N03MSGXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
MOSFETs N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.99 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| BSO033N03MSGXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 24288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.75 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| BSO033N03MSGXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3300 µohm, P-DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: P-DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3300 µohm, P-DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: P-DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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