BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
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auf Bestellung 2488 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 81+ | 0.89 EUR |
| 111+ | 0.64 EUR |
| 162+ | 0.44 EUR |
| 172+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSO110N03MSGXUMA1 nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.69 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.1A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 1.56W Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 27175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSO110N03MSGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
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