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BSO150N03MDGXUMA1

BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

BSO150N03MD_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d8d11687e4c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSO150N03MDGXUMA1 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
145+1.61 EUR
192+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
145+1.61 EUR
192+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MD_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d8d11687e4c Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
auf Bestellung 11591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
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BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MD_rev1.1.pdf MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 1353 Stücke:
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BSO150N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BSO150N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BSO150N03MDGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
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