Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO301SPHXUMA1
BSO301SPHXUMA1

BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies


bso301sp_rev1.32.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
172+0.84 EUR
174+0.8 EUR
177+0.76 EUR
200+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.79W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSO301SPHXUMA1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 3.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.97 EUR
153+0.92 EUR
155+0.87 EUR
200+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+1.01 EUR
146+0.95 EUR
149+0.9 EUR
250+0.86 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
142+1.02 EUR
144+0.97 EUR
146+0.92 EUR
149+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
309+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 309
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
309+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 309
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
auf Bestellung 7777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.29 EUR
10+2.24 EUR
100+1.59 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSO301SP_DS_v01_32_en-3360088.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH