BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSO615NGXUMA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Qualification: AEC-Q101 |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 26840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin DSO T/R |
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BSO615NGXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R |
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