| Anzahl | Preis |
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| 444+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details BSP122,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSP122,115 nach Preis ab 0.55 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±2V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 14855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |