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BSP122,115

BSP122,115 Nexperia

bsp122.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BSP122,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2D9F820&compId=BSP122.pdf?ci_sign=cdb2e789f5a54793a4254a006c7c77a4dd15b975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Case: SC73; SOT223
auf Bestellung 828 Stücke:
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Anzahl Preis
88+0.82 EUR
123+0.58 EUR
158+0.45 EUR
229+0.31 EUR
243+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2D9F820&compId=BSP122.pdf?ci_sign=cdb2e789f5a54793a4254a006c7c77a4dd15b975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 828 Stücke:
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123+0.58 EUR
158+0.45 EUR
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : Nexperia BSP122.pdf MOSFETs N-channel vertical D-MOS logic level FET
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2000+0.32 EUR
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 289 Stücke:
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : NEXPERIA 454171.pdf Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP122,115 BSP122,115 Hersteller : NEXPERIA 181050189353309bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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