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BSP125H6433XTMA1

BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.11 EUR
202+0.71 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 10962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+0.99 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
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Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
16+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Produktpalette: SIPMOS
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 7930 Stücke:
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BSP125H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 120mA; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 6.6nC
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: N
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
225+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3625 Stücke:
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AnzahlPreis
132+1.11 EUR
202+0.71 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
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MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 10962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.65 EUR
10+0.99 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+1.8 EUR
16+1.12 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
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BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
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Produktpalette: SIPMOS
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 7930 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 120mA; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 6.6nC
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: N
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
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