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BSP135H6327XTSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
62+1.38 EUR
79+1.08 EUR
100+0.98 EUR
200+0.88 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.68 EUR
97+1.77 EUR
129+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.68 EUR
97+1.74 EUR
129+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 15564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
111+2.09 EUR
133+1.62 EUR
200+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 15564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
111+2.09 EUR
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200+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon info-tbsp135.pdf N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
62+1.38 EUR
79+1.08 EUR
100+0.98 EUR
200+0.88 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.68 EUR
97+1.77 EUR
129+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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BSP135H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.68 EUR
97+1.74 EUR
129+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSP135H6327XTSA1 INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 15564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.57 EUR
111+2.09 EUR
133+1.62 EUR
200+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 15564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.57 EUR
111+2.09 EUR
133+1.62 EUR
200+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 info-tbsp135.pdf
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH