BSP135IXTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSP135IXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm.
Weitere Produktangebote BSP135IXTSA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP135IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP135IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
auf Bestellung 2151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP135IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP135IXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm |
auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSP135IXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm |
auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| BSP135IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel Depletion Mode Small Signal MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
BSP135IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
BSP135IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |