BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
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| 112+ | 1.28 EUR |
| 113+ | 1.22 EUR |
| 158+ | 0.84 EUR |
| 250+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
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Technische Details BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSP149H6327XTSA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 2.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP149H6327XTSA1 Produktcode: 218518
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Код виробника: BSP149H6327XTSA1 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. в Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSP149H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
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