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BSP149H6327XTSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 43 Stücke:
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43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
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86+1.69 EUR
112+1.25 EUR
113+1.19 EUR
158+0.82 EUR
250+0.78 EUR
500+0.47 EUR
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 685 Stücke:
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Anzahl Preis
8+2.45 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1241 Stücke:
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP149_Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. в
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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T12-K Наконечник для паяльных станций
Produktcode: 214485
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T12-K Наконечник для паяльных станций
+2
Hersteller: YiHUA
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Beschreibung: Жало до паяльної станції YiHUA. Ніж 6мм
Тип жала: T12
№ 4: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 mm
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
200 St. - erwartet 07.08.2026
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