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BSP149H6327XTSA1

Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
3000+0.62 EUR
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
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10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
115+1.46 EUR
160+1.01 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
115+1.5 EUR
160+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
200+1.67 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
104+1.62 EUR
156+1.04 EUR
500+0.79 EUR
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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10+3.31 EUR
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
95+2.46 EUR
114+1.88 EUR
200+1.5 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.77 EUR
2000+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
3000+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
7000+0.73 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.68 EUR
156+1.09 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 info-tbsp149.pdf
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+1.94 EUR
115+1.46 EUR
160+1.01 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+1.94 EUR
115+1.5 EUR
160+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.3 EUR
200+1.67 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 bsp149_rev2.1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.65 EUR
104+1.62 EUR
156+1.04 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 info-tbsp149.pdf
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
95+2.46 EUR
114+1.88 EUR
200+1.5 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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T12-K Lötspitze für Löt- Stationen
Produktcode: 214485
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T12-K Lötspitze für Löt- StationenT12-K Lötspitze für Löt- StationenT12-K Lötspitze für Löt- Stationen
T12-K Lötspitze für Löt- StationenT12-K Lötspitze für Löt- StationenT12-K Lötspitze für Löt- Stationen
Hersteller: YiHUA
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Lötspitze (Aufsatz) für Lötkolben auf Löt- Stationen.
Beschreibung: Lötspitze für Löt- Station YiHUA, Messer 6 mm
Spitzentyp: T12
Spitzenform: Messer
Spitzengröße: 6 мм
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