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BSP170IATMA1

BSP170IATMA1 Infineon Technologies

infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP170IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
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205+0.84 EUR
318+0.54 EUR
500+0.4 EUR
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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127+1.37 EUR
205+0.82 EUR
318+0.51 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies 448_BSP170I.pdf Description: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSP170I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
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3+1.64 EUR
10+1.17 EUR
100+0.73 EUR
500+0.5 EUR
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 INFINEON Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 3380 Stücke:
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150+1.68 EUR
241+0.96 EUR
374+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 INFINEON Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
241+0.96 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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318+0.54 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
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10+1.17 EUR
100+0.73 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSP170IATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 3380 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
150+1.68 EUR
241+0.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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BSP170IATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 3380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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150+1.68 EUR
241+0.96 EUR
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