Technische Details BSP170IATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSP170IATMA1 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP170IATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSP170IATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
auf Bestellung 2622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSP170IATMA1 | Infineon Technologies |
Description: BSP170IATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSP170IATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 566+ | 0.26 EUR |
| 632+ | 0.23 EUR |
| 634+ | 0.22 EUR |
| 694+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 521+ | 0.28 EUR |
| 565+ | 0.25 EUR |
| 566+ | 0.24 EUR |
| 632+ | 0.21 EUR |
| 634+ | 0.2 EUR |
| 694+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.28 EUR |
| 36000+ | 0.26 EUR |
| 54000+ | 0.23 EUR |
| 72000+ | 0.21 EUR |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.28 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Description: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.36 EUR |
| 21+ | 0.85 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSP170IATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)