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Technische Details BSP170IATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSP170IATMA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.14 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BSP170IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A |
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BSP170IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BSP170IATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V |
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BSP170IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
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BSP170IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSP170IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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BSP170IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A |
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BSP170IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BSP170IATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V |
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