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BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp295_rev2.3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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1000+0.49 EUR
2000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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230+0.63 EUR
231+0.6 EUR
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
86+0.83 EUR
176+0.41 EUR
186+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
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186+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 64
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
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10+1 EUR
100+0.66 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP295H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f N-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100
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