Technische Details BSP296 L6327 INFINEON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SOT223, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.1A, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.8W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| BSP296L6327 | Hersteller : Infineon technologies |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSP296 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP296L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
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BSP296 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 |
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BSP296L6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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