Technische Details BSP296 L6327 INFINEON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.1A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| BSP296L6327 | Hersteller : Infineon technologies |
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BSP296 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP296L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
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BSP296 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 |
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BSP296L6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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