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BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp297_rev2.2.pdf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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168+1 EUR
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP297_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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2+2.18 EUR
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON INFNS19467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.54 EUR
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BSP297H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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BSP297H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8119 Stücke:
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100+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSP297H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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