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BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
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136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN-1226296.pdf MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28179 Stücke:
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24+0.74 EUR
31+0.59 EUR
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auf Bestellung 64 Stücke:
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1225 Stücke:
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