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BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+0.43 EUR
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Technische Details BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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1000+0.43 EUR
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
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1000+0.44 EUR
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.83 EUR
145+0.58 EUR
167+0.51 EUR
176+0.49 EUR
179+0.48 EUR
250+0.45 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.59 EUR
169+0.99 EUR
232+0.7 EUR
500+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
auf Bestellung 35686 Stücke:
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2+2.01 EUR
10+1.21 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
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2000+0.45 EUR
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
50+0.95 EUR
100+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13 Stücke:
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BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.43 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.44 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
7000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.44 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
299+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+0.83 EUR
145+0.58 EUR
167+0.51 EUR
176+0.49 EUR
179+0.48 EUR
250+0.45 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+1.59 EUR
169+0.99 EUR
232+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
auf Bestellung 35686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.01 EUR
10+1.21 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
50+0.95 EUR
100+0.84 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 2026 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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