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BSP317PH6327XTSA1

BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp317p_rev2.4.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
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500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 64
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
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BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP317P_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
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2+1.72 EUR
10+1.1 EUR
100+0.73 EUR
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5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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