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BSP318SH6327XTSA1

BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon_BSP318S_DS_v02_04_en-1226297.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
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Technische Details BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSP318S.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
50+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP318S.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,6 А; Ptot, Вт = 1,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА; SOT-223
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Produktcode: 144529
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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