BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V.
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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| BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,6 А; Ptot, Вт = 1,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА; SOT-223 |
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| BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 2.6A 60V 1.8W 0.09Ω BSP318S TBSP318s |
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BSP318SH6327XTSA1 Produktcode: 144529 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP318SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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