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BSP318SH6327XTSA1

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Produktcode: 144529
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
142+1.64 EUR
199+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP318S_Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 207 Stücke:
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BSP318SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
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BSP318SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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142+1.64 EUR
199+1.08 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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