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BSP320SH6433XTMA1

BSP320SH6433XTMA1 Infineon Technologies


Infineon_BSP320S_DataSheet_v02_05_EN-240674.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
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Technische Details BSP320SH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BSP320SH6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors BSP320SH6433XTMA1
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BSP320SH6433XTMA1 BSP320SH6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
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