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BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp322p_rev1.05.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSP322PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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5000+0.42 EUR
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
278+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.75 EUR
500+0.71 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp322p.pdf P-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.21 EUR
118+0.73 EUR
131+0.65 EUR
148+0.57 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
168+1.38 EUR
199+1.08 EUR
244+0.88 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
160+1.45 EUR
242+0.89 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP322P_DS_v01_06_en-1731240.pdf MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
auf Bestellung 14527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.25 EUR
100+0.84 EUR
250+0.76 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.57 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.42 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 bsp322p_rev1.05.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
254+0.69 EUR
278+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 bsp322p_rev1.05.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+0.75 EUR
500+0.71 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 info-tbsp322p.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+1.21 EUR
118+0.73 EUR
131+0.65 EUR
148+0.57 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.5 EUR
168+1.38 EUR
199+1.08 EUR
244+0.88 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.58 EUR
160+1.45 EUR
242+0.89 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Infineon_BSP322P_DS_v01_06_en-1731240.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
auf Bestellung 14527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
10+1.25 EUR
100+0.84 EUR
250+0.76 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 bsp322p_rev1.05.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH