Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP322PH6327XTSA1
BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp322p_rev1.05.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.48 EUR
2000+0.40 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSP322PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.48 EUR
2000+0.40 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
254+0.58 EUR
278+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.63 EUR
500+0.59 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP322P_DS_v01_06_en-1731240.pdf MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
auf Bestellung 4339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.22 EUR
10+0.98 EUR
100+0.65 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.53 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c P-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
154+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH