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BSP324H6327XTSA1

BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp324_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.77 EUR
154+0.47 EUR
163+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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154+0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 67
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP324_DS_v02_02_en-1731179.pdf MOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
auf Bestellung 3559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.4 EUR
10+1.01 EUR
25+0.99 EUR
100+0.69 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.64 EUR
17+1.05 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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auf Bestellung 27000 Stücke:
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp324_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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