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BSP324H6327XTSA1

BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp324_rev2.2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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3000+0.27 EUR
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Technische Details BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm.

Weitere Produktangebote BSP324H6327XTSA1 nach Preis ab 0.26 EUR bis 2.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp324_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp324_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.39 EUR
95+0.9 EUR
145+0.58 EUR
200+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp324_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1230 Stücke:
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127+1.55 EUR
200+1.07 EUR
500+0.99 EUR
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP324_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
167+1.39 EUR
198+1.08 EUR
243+0.88 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
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BSP324H6327XTSA1 bsp324_rev2.2.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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BSP324H6327XTSA1 bsp324_rev2.2.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+1.39 EUR
95+0.9 EUR
145+0.58 EUR
200+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 bsp324_rev2.2.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.55 EUR
200+1.07 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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BSP324H6327XTSA1 Infineon_BSP324_DS_v02_02_en.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.61 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+2.13 EUR
167+1.39 EUR
198+1.08 EUR
243+0.88 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH