BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSP324H6327XTSA1 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ On-state resistance: 25Ω Drain current: 0.17A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 400V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ On-state resistance: 25Ω Drain current: 0.17A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 400V |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3 |
auf Bestellung 3524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP324H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |