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BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp372n_rev20.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.52 EUR
2000+0.44 EUR
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Technische Details BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 446000 Stücke:
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1000+0.54 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 446000 Stücke:
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1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
7000+0.42 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
3000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
7000+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
101+0.84 EUR
149+0.57 EUR
200+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
155+1.11 EUR
227+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
155+1.08 EUR
227+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP372N_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 9636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.39 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
158+1.48 EUR
187+1.14 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
158+1.48 EUR
187+1.14 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.52 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
5000+0.42 EUR
7000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 446000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.54 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 446000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
7000+0.42 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
3000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
7000+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+1.31 EUR
101+0.84 EUR
149+0.57 EUR
200+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+1.65 EUR
155+1.11 EUR
227+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+1.65 EUR
155+1.08 EUR
227+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 Infineon_BSP372N_DS_v02_00_en.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 9636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.34 EUR
10+1.39 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
158+1.48 EUR
187+1.14 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
158+1.48 EUR
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