BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP372NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
auf Bestellung 20117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 95000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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