Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BSP373NH6327XTSA1
BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1


BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f
Produktcode: 118507
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSP373NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.34 EUR
2000+0.32 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
25000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
25000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.41 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.52 EUR
290+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
109+0.66 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP373N-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.48 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.34 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.5 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Транзистор N-MOSFET, полевой, 100V, 1,8A, 1,8W, SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP373NH6327-DTE.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,8 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 9.3, Rds = 0,24 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 20 В,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH