BSP52T1G ON Semiconductor
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Technische Details BSP52T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSP52T1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 113000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 113000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 18353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 22934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 25426
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BSP52T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 10087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP52T1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
darl.NPN 1A 80V 0.8W BSP52 TBSP52 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP52T1G | Hersteller : ON SEMICONDUCTOR |
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP52T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| BSP52T1G | Hersteller : ONSEMI |
BSP52T1G NPN SMD Darlington transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |