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BSP52T1G

BSP52T1G ON Semiconductor

bsp52t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP52T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : onsemi bsp52t1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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308+0.45 EUR
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BSP52T1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25426
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : onsemi 17C9361509E14AC70BDBD19AF410BF30A1A3CAD947172CF94C484D0FC5AC6271.pdf Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : onsemi bsp52t1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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BSP52T1G BSP52T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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BSP52T1G Hersteller : ON-Semicoductor bsp52t1-d.pdf darl.NPN 1A 80V 0.8W BSP52 TBSP52
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