BSP52T1G (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BSP52T1G (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 25426
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BSP52T1G (Bipolartransistor NPN)

  • Darlington Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.3V
  • DC Current Gain Min (hfe):2000
  • Package/Case:SOT-223

Preis BSP52T1G (Bipolartransistor NPN) ab 0.23 EUR bis 17.05 EUR

BSP52T1G
Hersteller: ON
darl.NPN 1A 80V 0.8W Trans. BSP52 SOT223 TBSP52
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
bsp52t1-d.pdf BSP52T1-D.PDF
auf Bestellung 491 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+ 0.33 EUR
BSP52T1G
Hersteller: ON
darl.NPN 1A 80V 0.8W Trans. BSP52 SOT223 TBSP52
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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auf Bestellung 1000 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+ 0.33 EUR
BSP52T1G
Hersteller: ONS

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auf Bestellung 2000 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
249+ 0.35 EUR
272+ 0.31 EUR
373+ 0.27 EUR
1567+ 0.24 EUR
4000+ 0.23 EUR
BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
BSP52T1_D-2310252.pdf
auf Bestellung 32 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+ 1.14 EUR
50+ 0.93 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.48 EUR
BSP52T1G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
bsp52t1-d.pdf BSP52T1-D.PDF
auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+ 2.4 EUR
BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 800mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Transistor Type: NPN - Darlington
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: SOT-223
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auf Bestellung 9396 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+ 17.05 EUR
11+ 2.31 EUR
25+ 1.28 EUR
100+ 0.56 EUR
250+ 0.46 EUR
500+ 0.4 EUR
BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, SOT-223, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 800
DC Current Gain hFE: 1000
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 2 - 1 year
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 1
Transistor Case Style: SOT-223
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 4
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
1575848.pdf
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, SOT-223, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 800
DC Current Gain hFE: 1000
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 2 - 1 year
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 1
Transistor Case Style: SOT-223
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 4
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, SOT-223, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 800
DC Current Gain hFE: 1000
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 2 - 1 year
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 1
Transistor Case Style: SOT-223
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 4
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Material: BSP52T1G NPN SMD transistors
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BSP52T1G
Hersteller:
BSP52 TRANSISTOR NPN DARL 1A 80V SOT223
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BSP52T1G
Hersteller:
BSP52 TRANSISTOR NPN DARL 1A 80V SOT223
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BSP52T1G
Hersteller:
BSP52 TRANSISTOR NPN DARL 1A 80V SOT223
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
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auf Bestellung 50674 Stücke
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BSP52T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP52T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 800 mW
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BSP52T1G
BSP52T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
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