BSP603S2L Infineon Technologies
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Technische Details BSP603S2L Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223, Mounting: SMD, Technology: OptiMOS™, Case: SOT223, On-state resistance: 33mΩ, Power dissipation: 1.8W, Drain current: 5.2A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 55V, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote BSP603S2L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSP603S2L | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Case: SOT223 On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 5.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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