BSP603S2L Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.26 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 2500+ | 1.52 EUR |
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Technische Details BSP603S2L Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 5.2A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke.
Weitere Produktangebote BSP603S2L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSP603S2L | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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BSP603S2L | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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