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BSP75N

BSP75N Infineon

Produktcode: 24969
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-223
Beschreibung: Power Distribution Smart Low Side 1 Ch
Spannung: 60V
Temperaturbereich: -40…+150°C
Bemerkung: Infineon_BSP75N-191426
Produkt ist nicht verfügbar
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1+1 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSP75N BSP75N Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP75N BSP75N Hersteller : Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP75N BSP75N Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19267 Stücke:
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BSP75N BSP75N Hersteller : Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
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BSP75N BSP75N Hersteller : Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
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BSP75N Hersteller : Infineon Power switch, low-side, 700mA, Ch: 1, N-Channel, SOT223 Група товару: Інтелектуальні силові ключі (IPS) Од. вим: шт
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BSP75N Hersteller : Diodes Incorporated BSP75N.pdf Power Switch ICs - Power Distribution
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BSP75N BSP75N Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP75N_DS_v01_04_en.pdf Power Switch ICs - Power Distribution Smart Low Side 1 Ch 60 V 1.8 W
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BSP75N BSP75N Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSP75N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
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Produktcode: 28037
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IR2110PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-14
Uc, V: 500
I o +/-, A: 2,0/2,0
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 71 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.32 EUR
10+1.24 EUR
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IR21531PBF
Produktcode: 23543
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description ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
IR21531PBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,05 A
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 80/40
Bemerkung: Halbbrücke
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.32 EUR
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