BSP75N Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesPower Switch ICs - Power Distribution Smart Low Side 1 Ch 60 V 1.8 W
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 250+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
| 2500+ | 1.31 EUR |
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Technische Details BSP75N Infineon Technologies
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP75N nach Preis ab 1 EUR bis 2.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BSP75N | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP75N | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 22694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP75N | Hersteller : Infineon | ИМС SOT-223 Low Side Switch Power |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP75N Produktcode: 24969
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Infineon |
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer Gehäuse: SOT-223 Beschreibung: Power Distribution Smart Low Side 1 Ch Spannung: 60V Temperaturbereich: -40…+150°C Bemerkung: Infineon_BSP75N-191426 |
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
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| BSP75N | Hersteller : Diodes Incorporated |
Power Switch ICs - Power Distribution |
Produkt ist nicht verfügbar |