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BSP75N

BSP75N Infineon

Produktcode: 24969
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-223
Funktionsbeschreibung: Intelligenter 1-Kanal-Low-Side-Schalter
Versorgungsspannung, V: 60 V
Temperaturbereich, °C: -40...+150°C
Bemerkung: BSP75N, Hersteller Infineon
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP75N BSP75N DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
128+1.68 EUR
200+1.42 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP75N BSP75N DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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200+1.42 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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BSP75N BSP75N Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSP75N
BSP75N
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19267 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP75N
BSP75N
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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90+2.59 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IR2110PBF
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Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+4.46 EUR
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IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,05 А
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 32 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+3.09 EUR
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