BSP75N DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details BSP75N DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSP75N nach Preis ab 1 EUR bis 2.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP75N | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP75N | Hersteller : Infineon | ИМС SOT-223 Low Side Switch Power |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP75N Produktcode: 24969
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Infineon |
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer Gehäuse: SOT-223 Beschreibung: Power Distribution Smart Low Side 1 Ch Spannung: 60V Temperaturbereich: -40…+150°C Bemerkung: Infineon_BSP75N-191426 |
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP75N | Hersteller : Infineon Technologies |
Power Switch ICs - Power Distribution Smart Low Side 1 Ch 60 V 1.8 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSP75N | Hersteller : Diodes Incorporated |
Power Switch ICs - Power Distribution |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP75N | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 1.8W Technology: HITFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |