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BSP89,115

BSP89,115 Nexperia

bsp89.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 240V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BSP89,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : Nexperia bsp89.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP89.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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5000+0.32 EUR
7000+0.30 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : NEXPERIA BSP89.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
109+0.66 EUR
133+0.54 EUR
170+0.42 EUR
226+0.32 EUR
239+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : NEXPERIA BSP89.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 839 Stücke:
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133+0.54 EUR
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : Nexperia BSP89.pdf MOSFETs BSP89/SOT223/SC-73
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Mindestbestellmenge: 4
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP89.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
13+1.41 EUR
21+0.88 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003016954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003016954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : NEXPERIA bsp89.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP89,115 BSP89,115 Hersteller : NEXPERIA 454178.pdf Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Produktcode: 99790
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