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BSP92PH6327XTSA1

BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp92p_rev2.7.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp92p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp92p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP92P_DS_v02_07_en-1731257.pdf MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
14+1.27 EUR
22+0.82 EUR
100+0.49 EUR
500+0.43 EUR
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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65+1.10 EUR
178+0.40 EUR
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