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BSP92PH6327XTSA1

BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
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Technische Details BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

Weitere Produktangebote BSP92PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -260mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
130+0.55 EUR
201+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP92P_DS_v02_07_en-1731257.pdf MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
auf Bestellung 3991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+0.76 EUR
100+0.5 EUR
500+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
22+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -260mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
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MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
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2000+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
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BSP92PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
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BSP92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 852 Stücke:
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BSP92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
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