BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSR316PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.84 EUR
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Verfügbarkeit |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.29A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.29A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSR316PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R |
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BSR316PH6327XTSA1 Produktcode: 141413 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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