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BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies


infineonbsr316pdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-SC59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsr316pdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsr316pdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsr316pdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsr316pdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSR316P_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 P-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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