BSR802NL6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| 9000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details BSR802NL6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSR802NL6327HTSA1 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BSR802NL6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 9995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSR802NL6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR802NL6327HTSA1 Produktcode: 142666
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSR802NL6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSR802NL6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BSR802NL6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSR802NL6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 |
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