Produkte > HBE > BSS100

BSS100 HBE


Hersteller: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSS100 HBE

Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote BSS100

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BSS100 Hersteller : INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS100 BSS100 Hersteller : onsemi Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS100 BSS100 Hersteller : onsemi / Fairchild MOSFET DISC BY MFG 2/02
Produkt ist nicht verfügbar