BSS119N H6327 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.53 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.092 EUR |
| 6000+ | 0.081 EUR |
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Technische Details BSS119N H6327 Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BSS119N H6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS119N H6327 | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
| BSS119NH6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 50 Stücke: |